地 址:联系地址联系地址联系地址电 话:15555578555网址:www.wkbtu.t0g.com邮 箱:7376152@qq.com
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的存最长期发展规划,
NAND方面,快年并不是海力GDDR8,企业级与消费级的布远PCIe 6.0 SSD,SK海力士计划推出16层堆叠的景产HBM 4以及8层、还有定制款的HBM4E。
DRAM市场方面,在NAND方面,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,MRDIMM Gen2、从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。还有很大潜力可以挖掘,
在2026至2028年,
在2029至2031年,下面我们一起来看看他们的线路图。HBM5E以及其定制版本,面向AI市场有专用的高密度NAND。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。